当是什么结构的字_当是什么结构的字

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据金融行业2024年3月13日消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司已获得授权公告号CN110911416B，名称为《集成电路器件及制造方法》，具有申请日期为2019年6月。专利摘要显示一种集成电路元件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔以及电荷捕捉图案。字线结构与隔离结构相互交错等。

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当采用什么结构的字根时，第一导电层与栅介质层的侧面接触，第二导电层位于相邻的有源柱之间，第一导电层位于相邻的有源柱之间。在栅介质层和第二导电层之间，第二导电层设置在第一导电层的侧面周围。本发明实施例提供的半导体结构及其制备方法至少可以提高字线的控制能力。本文源自金融，稍后介绍。

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一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：阵列区和围绕阵列区的分隔区；阵列区包括沿第一方向延伸的部分位线和沿第一方向延伸的部分线。部分字线沿两个方向延伸；隔离区包括与阵列区的至少一侧相邻的引出区，并且字线和/或位线也位于引出区中。隔离区包括浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构等我继续。

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字形半导体结构是一种什么样的结构，包括：基板和字线结构；其中，字线结构包括：功函数堆叠结构，位于衬底中。功函数堆叠结构包括依序交替堆叠的多个第一功函数层以及第二功函数层，第一功函数层的功函数大于第二功函数层的功函数。字线导电层位于基底内且位于功函数堆叠结构的上表面。栅极氧化层，位于功函数堆栈等会说。

长鑫存储技术有限公司申请了公开号为CN117677183A的名称为“半导体结构及形成方法、存储器”，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，涉及一种半导体结构、其形成方法以及存储器。本发明的半导体结构包括衬底、字线结构、导电接触结构和缓冲层，我将继续描述。

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紫长鑫存储技术有限公司申请的公开号为CN117677178A，名称为《半导体结构及形成方法、存储器》，申请日为2022年8月。专利摘要显示，本公开在半导体技术领域，涉及半导体结构及其形成方法、存储器。本发明的半导体结构包括衬底和字线结构，其中：衬底包括阵列区和外围区等。

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据金融行业2024年3月8日消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请的项目名称为《半导体结构及半导体结构的制备方法》公开号为2024年3月8日。 CN117677180A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：多条字线，多奇妙啊！

当目标栅沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内向外依次层叠的第一子侧壁和第二子侧壁时；在目标栅极沟槽中形成周围的目标半导体层的两个栅极结构沿第二方向间隔开。本发明可以在不减少单位体积的存储单元数量的情况下，至少增加单个存储单元结构中栅极结构和字线结构的厚度。

当径向垂直于字线时，其面积大于接触孔与字线的接触面积。在上述的字线引出结构中，通过使接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与字线的接触面积，可以减少字线引出结构的接触斑块。可以减少。

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当结构为目标半导体层位于栅极沟槽内的部分暴露并悬空时；在栅极沟槽中形成围绕目标半导体层的栅极结构。本发明实施例在不减少单位体积的存储单元数量的情况下，至少可以增加字线结构占用的空间体积以及相邻字线结构之间的间距，并且可以控制所连接的晶体管的栅极结构的尺寸。到字线结构。本文源自Finance，我会继续。

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